1

Tên nhiệm vụ: Chế tạo khảo sát và tăng hiệu suất chuyển đổi năng lượng của pin mặt trời sử dụng vật liệu chấm lượng tử

2

3

4

Mã số nhiệm vụ (nếu có):

5

Tên tổ chức chủ trì: Trường Đại học sư phạm Hà Nội

6

Cơ quan chủ quản:

7

Chủ nhiệm nhiệm vụ:

8

Danh sách cá nhân tham gia nhiệm vụ:

9

Mục tiêu nghiên cứu:

10

Tóm tắt nội dung nghiên cứu chính: Thiết kế và chế tạo pin mặt trời có hiệu suất chuyển đổi năng lượng cao sử dụng vật liệu PbS/CdS chấm lượng tử có cấu trúc lõi vỏ và lớp ô xít kim loại có cấu trúc nano ZnO. Lớp vỏ CdS được sử dụng nhằm bảo vệ lớp lõi PbS và thụ động hóa các trạng thái bẫy trên bề mặt của chấm lượng tử PbS. Việc thụ động hóa các trạng thái bẫy trên bề mặt chấm lượng tử sẽ làm giảm nồng độ lỗ trống trong lớp màng vật liệu chấm lượng tử và làm tăng độ rộng lớp chuyển tiếp p-n. Các kỹ thuật quay phủ cũng như phương pháp hóa sẽ được sử dụng để chế tạo pin mặt trời. Độ rộng phổ hấp thụ quang học của pin mặt trời sẽ được điều chỉnh thông qua kích thước và cấu trúc của vật liệu chấm lượng tử. Ngoài ra, các lớp chấm lượng tử trong cấu trúc của pin cũng sẽ được thay đổi với sự biến thiên của kích thước hạt nhằm làm tăng khả năng hấp thụ ánh sáng mặt trời và làm giảm quá trình sinh nhiệt bởi những photon có năng lượng lớn hơn năng lượng vùng cấm của chấm lượng tử. Mục tiêu chính của đề tài là chế tạo và khảo sát các đặc tính của pin mặt trời ứng dụng vật liệu chấm lượng tử để tìm ra các điều kiện tối ưu giúp cho việc tăng hiệu suất chuyển đổi năng lượng của pin.

11

Lĩnh vực nghiên cứu: Vật lý

12

Mục tiêu kinh tế xã hội của nhiệm vụ:

13

Phương pháp nghiên cứu:

14

Sản phẩm khoa học và công nghệ dự kiến:

15

Địa chỉ và quy mô ứng dụng dự kiến:

16

Thời gian thực hiện: 24 tháng (từ đến )

17

Kinh phí được phê duyệt: 650000000 triệu đồng
trong đó:

18

Quyết định phê duyệt: số ngày 01 tháng Tháng 1 năm 1970

19

Hợp đồng thực hiện: số ngày 01 tháng Tháng 1 năm 1970