14/2014/TT-BKHCN
CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM |
PHIẾU THÔNG TIN
NHIỆM VỤ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ ĐANG TIẾN HÀNH SỬ DỤNG NGÂN SÁCH NHÀ NƯỚC
1 |
Tên nhiệm vụ: Nghiên cứu cấu trúc lai hóa LaTaO/PZT cho lớp điện môi làm cổng trong transistor dạng màng mỏng chế tạo bằng phương pháp dung dịch |
2 |
|
3 |
|
4 |
Mã số nhiệm vụ (nếu có): |
5 |
Tên tổ chức chủ trì: Đại học Công nghệ
Họ và tên thủ trưởng:
Địa chỉ:
Tỉnh/thành phố:
Điện thoại:
Fax:
Website:
|
6 |
Cơ quan chủ quản: |
7 |
Chủ nhiệm nhiệm vụ:
Họ và tên:
Giới tính:
Trình độ học vấn:
Chức danh khoa học:
Chức vụ:
Điện thoại:
Fax:
Email:
|
8 |
Danh sách cá nhân tham gia nhiệm vụ: |
9 |
Mục tiêu nghiên cứu: |
10 |
Tóm tắt nội dung nghiên cứu chính: - Nghiên cứu cấu trúc tinh thể, hình thái bề mặt và tính chất cách điện của lớp LaTaO._x000d_ - Nghiên cứu vai trò của lớp LaTaO được chế tạo bằng phương pháp dung dịch trong vai trò lớp ngăn chặn khuyếch tán giữa kênh dẫn và cổng điện môi._x000d_ - Chế tạo lớp màng lai hóa (LaTaO/PZT) bằng phương pháp dung dịch và vẫn có độ điện dư cao cũng như dòng rò nhỏ._x000d_ - Nghiên cứu ôxit bán dẫn (ITO, IZO hoặc IGZO) được chế tạo bằng phương pháp dung dịch để thu được màng có độ linh động và ngồng độ hạt tải phù hợp cho ứng dụng trong transistor dạng màng mỏng._x000d_ - Đánh giá và khảo sát hoạt động của bộ nhớ transistor dạng màng mỏng sử dụng cấu trúc lai hóa (LaTaO/PZT). |
11 |
Lĩnh vực nghiên cứu: |
12 |
Mục tiêu kinh tế xã hội của nhiệm vụ: |
13 |
Phương pháp nghiên cứu: |
14 |
Sản phẩm khoa học và công nghệ dự kiến: |
15 |
Địa chỉ và quy mô ứng dụng dự kiến: |
16 |
Thời gian thực hiện: 0 tháng (từ đến ) |
17 |
Kinh phí được phê duyệt: 200 triệu đồng
- Từ ngân sách nhà nước: 0
- Từ nguồn tự có của tổ chức: 0
- Từ nguồn khác: 0
|
18 |
Quyết định phê duyệt: số ngày 01 tháng Tháng 1 năm 1970 |
19 |
Hợp đồng thực hiện: số ngày 01 tháng Tháng 1 năm 1970 |
XÁC NHÂN CỦA ĐƠN VỊ QUẢN LY NHIỆM VỤ |
NGƯỜI GHI THÔNG TIN
|