1

Tên nhiệm vụ: Phát triển cảm biến ADN trên cơ sở transistor hiệu ứng trường cực cổng dưới ứng dụng trong phát hiện virut gây bệnh

2

3

4

Mã số nhiệm vụ (nếu có):

5

Tên tổ chức chủ trì:

6

Cơ quan chủ quản:

7

Chủ nhiệm nhiệm vụ:

8

Danh sách cá nhân tham gia nhiệm vụ:

9

Mục tiêu nghiên cứu:

10

Tóm tắt nội dung nghiên cứu chính: Trong kỹ thuật phân tích y sinh, transistor FET được phát triển để chế tạo thiết bị phân tích. Trong đó, các nhà khoa học tìm cách nghiên cứu và ứng dụng các vật liệu tiên tiến làm cực cổng của transistor, đồng thời thay thế, gắn kết các vật liệu sinh học để phát triển các cảm biến hoặc hệ thống đo lường sinh học._x000d_ Mục tiêu của đề tài là phát triển cảm biến ADN dựa trên cơ sở transistor hiệu ứng trường ứng dụng trong phân tích y sinh._x000d_ Ống nano các bon được biến tính bằng hóa chất sau đó phân tán trong các dung môi phù hợp. Bằng kỹ thuật quay phủ hoặc nhúng phủ, ống nano các bon sẽ được đặt bên trên và ở giữa hai vùng nguồn và máng, tạo ra kênh dẫn. Sợi ADN sau đó được gắn vào ống nano các bon tạo ra cảm biến ADN. Kỹ thuật đo lường điện hóa, không đánh dấu được thực hiện để xác định sự lai hóa của ADN vi khuẩn (hoặc virut gây bệnh) trong dung dịch.

11

Lĩnh vực nghiên cứu:

12

Mục tiêu kinh tế xã hội của nhiệm vụ:

13

Phương pháp nghiên cứu:

14

Sản phẩm khoa học và công nghệ dự kiến:

15

Địa chỉ và quy mô ứng dụng dự kiến:

16

Thời gian thực hiện: 0 tháng (từ đến )

17

Kinh phí được phê duyệt: 656 triệu đồng
trong đó:

18

Quyết định phê duyệt: số ngày 01 tháng Tháng 1 năm 1970

19

Hợp đồng thực hiện: số ngày 01 tháng Tháng 1 năm 1970