Chế tạo và nghiên cứu các chấm lượng tử (QD) hợp kim ba thành phần là Cd(hoặc Zn)Se1-xTex và lõi/vỏ có chất lượng cao, phổ hấp thụ có thể điều khiển và trải rộng tới vùng hồng ngoại gần (NIR), nhằm ứng dụng cho pin mặt trời thế hệ ba dùng QD làm chất tăng nhạy hấp thụ ánh sáng (QDSSC). Các QDs hợp kim cần có chất lượng tốt, hiệu suất lượng tử (QY) cao, bền dưới sự chiếu sáng liên tục. Nghiên cứu tính chất quang-điện của các QDs hợp kim này và các tính chất của chúng trong pin mặt trời sẽ được thực hiện. Một số cơ chế liên quan trong các QD hợp kim và cấu trúc lõi/vỏ sẽ được nghiên cứu. Lớp vỏ này sẽ cho phép loại bỏ các trạng thái bẫy điện tử trên bề mặt của QDs. Nghiên cứu này sẽ làm rõ hơn hiệu ứng giam giữ lượng tử trong QD hợp kim ba thành phần. Pin mặt trời QDSSC dùng Cd(Zn)Se1-xTex, có thể đạt được hiệu suất chuyển đổi năng lượng mặt trời (PCE) tới > 6%. Sự thay đổi lượng Te trong CdSe1-x Tex, tạo ra được QDs có thành phần tốt nhất, có đáy vùng dẫn nằm ở vị trí tương đối gần so với đáy vùng dẫn của TiO2, làm photoanode trong QDSSC. Quá trình biến đổi bề mặt các QDs với các loại ligand mạch thẳng và ngắn khác nhau, với mục đích khai thác các tổ hợp ligand bề mặt/QD khác nhau, tìm ra loại ligand nào thích hợp nhất dùng trong QDSSC. Nồng độ tối ưu của QDs đưa vào pin sẽ được nghiên cứu. Đây là vấn đề mới với hàm lượng khoa học cao, các kết quả nhận được có thể đóng góp cho nghiên cứu cơ bản lẫn ứng dụng.