Silic (Si) và silic cacbua (SiC) có cấu trúc nano xốp là các vật liệu hiện đang rất được quan tâm nghiên cứu trên thế giới. Đề tài sẽ tập trung vào chế tạo các mẫu Si xốp (PSi) và SiC xốp (PSiC) bằng phương pháp ăn mòn điện hóa và hóa học có và không có sự trợ giúp của kim loại, được thực hiện với sự thay đổi mật độ dòng và thay đổi thành phần của dung dịch ăn mòn và nghiên cứu ảnh hưởng của các điều kiện chế tạo lên cấu trúc, hình thái bề mặt, và tính chất huỳnh quang, của các mẫu PSi và PSiC chế tạo được. Đề tài sẽ đặc biệt chú ý để tìm ra các điều kiện chế tạo mà ở đó cường độ huỳnh quang của PSi và của PSiC tăng cường mạnh, sau đó thực hiện các đo đạc, phân tích để tìm hiểu nguyên nhân của sự tăng cường mạnh huỳnh quang này, và cuối cùng là đưa ra mô hình giải thích hiện tượng đã quan sát thấy.