Các nhiệm vụ khác
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  14,850,730
  • Kết quả thực hiện nhiệm vụ

103.02-2019.354

2023-52-1093/NS-KQNC

Nghiên cứu chế tạo vật liệu cấu trúc dị thể từ các bán dẫn cấu trúc lớp vùng cấm hẹp để cho ra một thế hệ vật liệu mới có độ phẩm chất nhiệt điện (ZT) cao

Trường Đại học PHENIKAA

Bộ Giáo dục và Đào tạo

Quốc gia

PGS. TS. Dương Anh Tuấn

TS. Phạm Thị Lan Hương, TS. Hoàng Như Vân, TS. Dương Văn Thiết, ThS. Mạc Trung Kiên; Dương Văn Thiết(1)

Luyện các chất bán dẫn

01/04/2020

01/06/2023

2023

Hà Nội

99 tr. + phụ lục

Chế tạo thành công các vật liệu nền SnSe2, Cu2Se, Mg3Sb2, và các hợp chất lai hóa giữa chúng và kết hợp chúng với các bán dẫn có cùng cấu trúc. Điều khiển được nồng độ các khuyết tật, các cấu trúc nano dị thể trong mạng tinh thể vật liệu nền bằng các thay đổi các thông số chế tạo và nồng độ các chất đầu vào để đồng thời đạt được hai mục đích là tăng nồng độ hạt tải và giảm độ dẫn nhiệt. Đưa ra được những quy trình chế tạo và nồng độ các tiền chất để cho giá trị ZT tốt nhất. Chế tạo thành công và khảo sát tính chất nhiệt điện của các cấu trúc dị thể trên màng mỏng. Tối ưu hóa thành phần, độ dày của các lớp vật liệu trên màng mỏng để thu được hiệu ứng nhiệt điện cao nhất. Chế tạo thành công hợp chất đơn tinh thể SnSe2 và Mg3Sb2 khảo sát các thông số nhiệt điện của chúng. 

Vật liệu; Cấu trúc dị thể; Bán dẫn; Cấu trúc lớp; Vùng cấm hẹp; Phẩm chất nhiệt điện

24 Lý Thường Kiệt, Hà Nội

22743