liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  13079543
  • Kết quả thực hiện nhiệm vụ

103.03-2014.66

2017-48-213

Chế tạo nghiên cứu tính chất quang của các chấm lượng tử hợp kim trên cơ sở các nguyên tố Cd(Zn) Se và Te nhằm ứng dụng trong pin mặt trời

Viện Khoa Học Vật Liệu

Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam

Quốc gia

PGS.TS. Phạm Thu Nga

TS. Vũ Thị Hồng Hạnh, TS. Đinh Hùng Cường, TS. Nguyễn Ngọc Hải, ThS. Nguyễn Hải Yến, ThS. Phạm Nam Thắng, ThS. Lê Xuân Hùng

Vật lý hạt và trường

03/2015

10/2017

2017

Hà Nội

28+phụ lục

Nghiên cứu chế tạo các loại hạt chấm lượng tử hợp kim trên cơ sở CdSe1-xTex from Cd, Se và Te với các tỷ phần của ba chất thành phần này thay đổi. Chế tạo các chấm lượng tử với cấu trúc lõi/vỏ, với các thành phần khác nhau. Nghiên cứu chế tạo các chấm lượng tử với cấu trúc lõi/vỏ, với các thành phần khác nhau, nhằm loại bỏ các trạng thái bẫy bề mặt của QDs, bằng phương pháp, bằng phương pháp huyền phù. Nghiên cứu tối ưu hóa chiều dày lớp vỏ để dùng cho pin mặt trời. Đặc trưng cấu trúc và pha tinh thể hình thành của các loại chấm lượng tử chế tạo được, bằng các phương pháp nhiễu xạ tia X, EDS, TEM và FE-SEM. Phân tích thành phần nguyên tố bằng EDS… Nghiên cứu các tính chất quang như phổ hấp thụ, phát xạ, thời gian sống, hiệu suất lượng tử các mẫu QDs hợp kim chế tạo được. Phương pháp biển đổi bề mặt chấm lượng tử. Đây là một quá trình thay đổi bề mặt của chấm lượng tử bằng các ligand mạch thẳng, ngắn, để cải thiện quá trình vận chuyển điện tử. Nghiên cứu ở mức độ đơn chấm, hiện tượng nhấp nháy huỳnh quang, các hạt từ, các mẫu hợp kim QD đã chế tạo ra với chất lượng tốt nhất. Thử nghiên cứu chế tạo các linh kiện pin mặt trời sử dụng chấm lượng tử làm chất tăng nhậy (QDSSC) với việc dùng QDs hợp kim CdSe1-xTex đã chế tạo được. Đo thông số đặc trưng nhất của pin là PCE và các thông số khác. Nồng độ tối ưu của QDs hợp kim mà ta có thể đưa vào lớp bán dẫn TiO2 dẫn điện tử của điện cực.

Pin mặt trời; Tính chất quang; Chấm lượng tử; Chế tạo

24 Lý Thường Kiệt, Hà Nội

14743