Các nhiệm vụ khác
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  13079543
  • Kết quả thực hiện nhiệm vụ

CS/21/06-01

2022-60-1053/NS-KQNC

Nghiên cứu chế tạo đầu dò Gamma sử dụng tinh thể nhấp nháy NaI(TI) và Silicon Photomultiplier (SiPM) ứng dụng trong kỹ thuật hình ảnh hạt nhân (Chụp cắt lớp điện toán)

Trung tâm Ứng dụng kỹ thuật hạt nhân trong công nghiệp

Bộ Khoa học và Công nghệ

Cơ sở

CN. Lại Viết Hải

ThS. Đặng Quốc Triệu, CN. Vương Đức Phụng, KS. Nguyễn Ngọc Nhật Anh, KTV. Trần Minh Tiến

Chế tạo máy nói chung

01/01/2021

01/12/2021

2022

Đà Lạt

110 tr. + phụ lục

Chế tạo thành công đầu dò đo gamma sử dụng tinh thể nhấp nháy NaI(Tl) kết hợp với nhân quang silicon – SiPM và hệ đo đơn kênh dùng cho loại đầu dò này. Sử dụng tinh thể NaI(Tl) kích thước 0,5 inch x 1 inch kết hợp với nhân quang điện bán dẫn (SiPM) - MICROFC-60035-SMT-TR1 (ONSEMI) bằng keo quang học Meltmount để tạo nên một đầu dò đo gamma và chế tạo các khối mạch điện tử như khối nguồn phân cực, khối khuếch đại, khối phân biệt biên độ xung, khối nguồn thế thấp, kết hợp các khối này với nhau và với module Arduino mega 2560 pro tạo thành một hệ đo gamma đơn kênh hoàn chỉnh. Để điều khiển được hệ đo, nhóm đề tài đã lập trình phần mềm điều khiển, lưu trữ và hiển thị dữ liệu. 

CANTI; SiPM; Chụp ảnh cắt lớp; Nhân quang điện; Bán dẫn; Chụp cắt lớp tia gamma; Tinh thể nhấp nháy; Arduino

24 Lý Thường Kiệt, Hà Nội

21283