Nghiên cứu chế tạo màng mỏng dạng delafossite CuFeO2 bằng phương pháp phún xạ nhằm ứng dụng chế tạo pin năng lượng mặt trời

Các nhiệm vụ khác

Nghiên cứu lựa chọn công nghệ và hệ thống thiết bị chăn nuôi gia súc gia cầm theo kiểu công nghiệp qui mô vừa và nhỏ - Qui trình công nghệ hệ thống thiết bị giết mổ lợn bán tự động qui mô 20 con/h
Hoàn thiện máy vung luống trồng dưa hấu và một số loại hoa màu tại huyện Cai Lậy tỉnh Tiền Giang
Một số nghiên cứu định tính cho các bài toán điều khiển tối ưu với phương trình vi phân thường và phương trình vi phân đạo hàm riêng
Nghiên cứu công tác tiểu phỉ trên địa bàn tỉnh Lai Châu giai đoạn 1950-1959
Nghiên cứu thiết kế chế tạo hệ thống kiểm định đồng hồ đo nước lạnh đến DN100 lưu động và thiết bị giả lập trạng thái dòng chảy rối do lắp đặt tại hiện trường
Nghiên cứu công nghệ chế tạo thép chịu mài mòn chất lượng cao mác X12BMphi
Những yêu cầu kỹ thuật xây dựng hệ thống cho chứng khoán của doanh nghiệp vừa và nhỏ tại thị trường giao dịch chứng khoán Hà Nội
Nghiên cứu bệnh viêm vú trên đàn bò sữa nuôi tại Bình Định và xác định biện pháp phòng trị thích hợp
Điều tra đánh giá kết quả thực hiện một số chương trình đề án dự án chính sách giai đoạn 2011-2015 do Ủy ban Dân tộc quản lý
Nghiên cứu phương pháp phân vùng ngập & thoát nước đô thị nội thành TP Hồ Chí Minh

liên kết website

Lượt truy cập

Lượt truy cập : 14,482,045

Kết quả thực hiện nhiệm vụ

Số đăng ký KQ

2018-53-138

Tên nhiệm vụ

Nghiên cứu chế tạo màng mỏng dạng delafossite CuFeO2 bằng phương pháp phún xạ nhằm ứng dụng chế tạo pin năng lượng mặt trời

Tổ chức chủ trì

Trường Đại học Khoa học Tự nhiên

Cơ quan chủ quản

Đại học Quốc gia Hà Nội

Cấp quản lý nhiệm vụ

Bộ

Thuộc chương trình

Chủ nhiệm nhiệm vụ

TS. Nguyễn Trần Thuật

Cán bộ phối hợp

PGS.TS. Nguyễn Hoàng Hải, TS. Hoàng Chí Hiếu, ThS. Nguyễn Minh Hiếu; Nguyễn Trần Thuật⁽¹⁾; Hoàng Chí Hiếu⁽²⁾;

Lĩnh vực nghiên cứu

Kỹ thuật điện và điện tử

Thời gian bắt đầu

04/2014

Thời gian kết thúc

04/2016

Năm viết báo cáo

2016

Nơi viết báo cáo

Hà Nội

Kinh phí

200 (triệu đồng)

Số trang

29 + Phụ lục

Tóm tắt

Nghiên cứu chế tạo màng mỏng trong suốt dẫn điện pha tạp n ZnO:Al bằng phương pháp phún xạ: Nghiên cứu quy trình phún xạ tối ưu chế tạo màng ZnO:A1 từ bia AZO; Ủ nhiệt và đánh giá đặc trưng dẫn điện và truyền sáng và các thông số quang học cùa màng ZnO:Al. Nghiên cứu chế tạo màng mỏng delafossite CuFeO2 bằng phương pháp phún xạ: Dùng phương pháp đồng phún xạ trên hai bia Cu2O và Fe2O3; Ủ nhiệt các mẫu để tạo màng delafossite CuFeO2; Đánh giá cấu trúc tinh thể, tính truyền sáng và tính dẫn điện của màng delafossite thu được. Nghiên cứu chế tạo pin mặt trời mặt tiếp giáp dị thể giữa vật liệu dẫn loại phún xạ delafossite CuFe02và vật liệu dẫn điện trong suốt loại n ZnO:Al bằng phương pháp phún xạ: Áp dụng quy trình chế tạo màng mỏng tối ưu để chế tạo các màng đa lớp CuFeO2/ZnO:Al trên đế kính cùng với chế tạo điện cực tạo thành pin; Đánh giá đặc tính dẫn điện, bề dầy và các hằng số quang học của pin mặt trời mối nối dị thể dựa trên màng delafossite CuFe02 thu được.

Từ khoá

Pin năng lượng mặt trời; Phương pháp phún xạ; Chế tạo; Ứng dụng; Màng delafossite CuFeO2

Nơi lưu trữ

24 Lý Thường Kiệt, Hà Nội

Ký hiệu kho

14668