liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  13079543
  • Kết quả thực hiện nhiệm vụ

103.03-2013.27

2017-48-900

Nghiên cứu một số cơ chế phát quang trong chấm lượng tử bán dẫn cấu trúc lõi/vỏ CdTe/CdS và CdSe/ZnS

Viện Khoa Học Vật Liệu

Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam

Quốc gia

TS. Ứng Thị Diệu Thúy

GS.TS. Nguyễn Quang Liêm, ThS. Trần Thị Thương Huyền, TS. Trần Thị Kim Chi, ThS. Nguyễn Thu Loan, CN. Lê Văn Long

Vật liệu điện tử

03/2014

03/2017

2017

Hà Nội

40 tr.

Nghiên cứu công nghệ chế tạo chấm lượng tử các cấu trúc khác nhau (loại I và loại II). Nghiên cứu vi hình thái và cấu trúc của vật liệu chế tạo được bằng các phương pháp hiển vi điện tử SEM, TEM, nhiễu xạ tia X, phổ tán xạ Raman, phân tích các nguyên tố thành phần bằng phương pháp vật lý (EDX, XRF). Nghiên cứu các chuyển dời điện tử trong các chấm lượng tử cấu trúc khác nhau bằng phương pháp phổ hấp thụ, phổ huỳnh quang phân giải cao; thảo luận về bản chất của các chuyển dời phát quang do chuyển dời exciton, hoặc do tái hợp điện tử-lỗ trống liên quan tới sai hỏng mạng hoặc bất hợp thức mạng,... sự tồn tại của các trạng thái dưới bờ vùng cấm có liên quan tới độ dịch chuyển Stokes khác nhau trong các loại chấm lượng tử bán dẫn khác nhau. Làm rõ quá trình tái hợp phát quang theo cơ chế xảy ra trong cấu trúc lượng tử loại I hoặc loại khi thay đổi độ dày lớp vỏ (thay đổi sự chênh lệch (offset) năng lượng bờ vùng giữa vật liệu lõi và vật liệu vỏ). Nghiên cứu động học và nhiệt động học huỳnh quang bằng kỹ thuật huỳnh quang phân giải thời gian và huỳnh quang phụ thuộc nhiệt độ. Xác định thời gian sống của hạt tải điện trong trạng thái kích thích, quá trình truyền điện tích giữa các chấm lượng tử, tương tác/tán xạ trên hệ phonon trong các quá trình quang điện tử, năng lượng kích hoạt của các trạng thái tham gia trong các chuyển dời/tái hợp phát quang tương ứng. Nghiên cứu tương tác giữa plasmon với LO-phonon trong các chấm lượng tử ở vùng biên phân cách giữa lõi và vỏ.

Lượng tử bán dẫn; Huỳnh quang

24 Lý Thường Kiệt, Hà Nội

14090