Nghiên cứu một số cơ chế phát quang trong chấm lượng tử bán dẫn cấu trúc lõi/vỏ CdTe/CdS và CdSe/ZnS

Các nhiệm vụ khác

Nghiên cứu đề xuất chính sách quản lý rủi ro trong sản xuất cá tra ở Việt Nam
Ứng dụng quy trình nuôi tôm càng xanh (Macrobrachim Rosenbergii) toàn đực trong ao đất tại huyện Trà Cú tỉnh Trà Vinh
Nghiên cứu giá trị chẩn đoán và tiên lượng bệnh động mạch vành của SPECT xạ hình tưới máu cơ tim ở bệnh nhân có nguy cơ bệnh động mạch vành cao
Nghiên cứu đề xuất triển khai hệ thống tra cứu thông tin tài nguyên Internet sử dụng chuẩn giao thức WHOIS thế hệ mới - RDAP
Mô hình ổn định hệ thống tài chính ở Việt Nam: Thực trạng và giải pháp
Khảo sát đánh giá phân ngành sản phẩm có lợi thế cạnh tranh cho các doanh nghiệp và ngành công nghiệp ưu tiên phát triển ở TPHCM (giai đoạn 2)
Nghiên cứu ứng dụng kỹ thuật nuôi trồng và chế biến nấm linh chi tại Vĩnh Long
Động lực học và điều khiển các hệ nhiều vật hỗn hợp
Hoàn thiện thiết kế công nghệ chế tạo máy đập đá kiểu trục răng năng suất 100-300 t/h sử dụng trong dây chuyền đào lò đá
Độ chứa than miền Trung Việt Nam chủ yếu bể than Quảng Nam-Đà Nẵng

liên kết website

Lượt truy cập

Lượt truy cập : 13079543

Kết quả thực hiện nhiệm vụ

MS đề tài

103.03-2013.27

Số đăng ký KQ

2017-48-900

Tên nhiệm vụ

Nghiên cứu một số cơ chế phát quang trong chấm lượng tử bán dẫn cấu trúc lõi/vỏ CdTe/CdS và CdSe/ZnS

Tổ chức chủ trì

Viện Khoa Học Vật Liệu

Cơ quan chủ quản

Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam

Cấp quản lý nhiệm vụ

Quốc gia

Thuộc chương trình

Chủ nhiệm nhiệm vụ

TS. Ứng Thị Diệu Thúy

Cán bộ phối hợp

GS.TS. Nguyễn Quang Liêm, ThS. Trần Thị Thương Huyền, TS. Trần Thị Kim Chi, ThS. Nguyễn Thu Loan, CN. Lê Văn Long

Lĩnh vực nghiên cứu

Vật liệu điện tử

Thời gian bắt đầu

03/2014

Thời gian kết thúc

03/2017

Năm viết báo cáo

2017

Nơi viết báo cáo

Hà Nội

0 (triệu đồng)

Số trang

40 tr.

Tóm tắt

Nghiên cứu công nghệ chế tạo chấm lượng tử các cấu trúc khác nhau (loại I và loại II). Nghiên cứu vi hình thái và cấu trúc của vật liệu chế tạo được bằng các phương pháp hiển vi điện tử SEM, TEM, nhiễu xạ tia X, phổ tán xạ Raman, phân tích các nguyên tố thành phần bằng phương pháp vật lý (EDX, XRF). Nghiên cứu các chuyển dời điện tử trong các chấm lượng tử cấu trúc khác nhau bằng phương pháp phổ hấp thụ, phổ huỳnh quang phân giải cao; thảo luận về bản chất của các chuyển dời phát quang do chuyển dời exciton, hoặc do tái hợp điện tử-lỗ trống liên quan tới sai hỏng mạng hoặc bất hợp thức mạng,... sự tồn tại của các trạng thái dưới bờ vùng cấm có liên quan tới độ dịch chuyển Stokes khác nhau trong các loại chấm lượng tử bán dẫn khác nhau. Làm rõ quá trình tái hợp phát quang theo cơ chế xảy ra trong cấu trúc lượng tử loại I hoặc loại khi thay đổi độ dày lớp vỏ (thay đổi sự chênh lệch (offset) năng lượng bờ vùng giữa vật liệu lõi và vật liệu vỏ). Nghiên cứu động học và nhiệt động học huỳnh quang bằng kỹ thuật huỳnh quang phân giải thời gian và huỳnh quang phụ thuộc nhiệt độ. Xác định thời gian sống của hạt tải điện trong trạng thái kích thích, quá trình truyền điện tích giữa các chấm lượng tử, tương tác/tán xạ trên hệ phonon trong các quá trình quang điện tử, năng lượng kích hoạt của các trạng thái tham gia trong các chuyển dời/tái hợp phát quang tương ứng. Nghiên cứu tương tác giữa plasmon với LO-phonon trong các chấm lượng tử ở vùng biên phân cách giữa lõi và vỏ.

Từ khoá

Lượng tử bán dẫn; Huỳnh quang

Nơi lưu trữ

24 Lý Thường Kiệt, Hà Nội

Ký hiệu kho

14090