Nghiên cứu một số cơ chế phát quang trong chấm lượng tử bán dẫn cấu trúc lõi/vỏ CdTe/CdS và CdSe/ZnS

Các nhiệm vụ khác

Đánh giá căng thẳng thanh khoản (Liquidity stress tests) đối với hệ thống quỹ đầu tư tại Việt Nam
Nghiên cứu quy trình chăn nuôi heo an toàn bằng thảo dược và chế phẩm sinh học trên đệm lót tại địa bàn tỉnh Bình Định
Nghiên cứu cấu tạo tính chất vật lý cơ học và thành phần hóa học của một số loài gỗ và tre thông dụng ở Việt Nam làm cơ sở cho chế biến bảo quản và sử dụng (Giai đoạn II: 2011-2015)
Hệ thống Tam Phủ - Tứ Phủ trong thực hành tín ngưỡng của người Việt (Kinh) và một số tộc người thiểu số miền núi phía Bắc
Nghiên cứu hoàn thiện quy trình thu gom xử lý phân và xác hữu cơ từ các trang trại chăn nuôi gà để sản xuất phân bón hữu cơ
Ứng dụng kỹ thuật xạ trị điều biến cường độ trong điều trị ung thư vòm họng trên hệ thống máy xạ trị gia tốc tuyến tính tại Nghệ An
Xây dựng hệ thống thông tin địa lý phục vụ công tác quản lý tài nguyên thiên nhiên và giám sát môi trường
Nghiên cứu và đề xuát các giải pháp khoa học công nghệ và kinh tế thị trường phát triển sản xuất chuối tiêu xuất khẩu ở Việt Nam - Hướng dẫn kỹ thuật
Bảo tồn và phát triển các giống lúa mùa và lúa hoang của tỉnh Cà Mau
Hoàn thiện quy trình công nghệ sản xuất EMBIN làm thuốc tẩy sán từ loài chua ngút EMbelia scandend (Lour Mez)

liên kết website

Lượt truy cập

Lượt truy cập : 14,802,743

Kết quả thực hiện nhiệm vụ

MS đề tài

103.03-2013.27

Số đăng ký KQ

2017-48-900

Tên nhiệm vụ

Nghiên cứu một số cơ chế phát quang trong chấm lượng tử bán dẫn cấu trúc lõi/vỏ CdTe/CdS và CdSe/ZnS

Tổ chức chủ trì

Viện Khoa Học Vật Liệu

Cơ quan chủ quản

Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam

Cấp quản lý nhiệm vụ

Quốc gia

Thuộc chương trình

Chủ nhiệm nhiệm vụ

TS. Ứng Thị Diệu Thúy

Cán bộ phối hợp

GS.TS. Nguyễn Quang Liêm, ThS. Trần Thị Thương Huyền, TS. Trần Thị Kim Chi, ThS. Nguyễn Thu Loan, CN. Lê Văn Long;

Lĩnh vực nghiên cứu

Vật liệu điện tử

Thời gian bắt đầu

03/2014

Thời gian kết thúc

03/2017

Năm viết báo cáo

2017

Nơi viết báo cáo

Hà Nội

0 (triệu đồng)

Số trang

40 tr.

Tóm tắt

Nghiên cứu công nghệ chế tạo chấm lượng tử các cấu trúc khác nhau (loại I và loại II). Nghiên cứu vi hình thái và cấu trúc của vật liệu chế tạo được bằng các phương pháp hiển vi điện tử SEM, TEM, nhiễu xạ tia X, phổ tán xạ Raman, phân tích các nguyên tố thành phần bằng phương pháp vật lý (EDX, XRF). Nghiên cứu các chuyển dời điện tử trong các chấm lượng tử cấu trúc khác nhau bằng phương pháp phổ hấp thụ, phổ huỳnh quang phân giải cao; thảo luận về bản chất của các chuyển dời phát quang do chuyển dời exciton, hoặc do tái hợp điện tử-lỗ trống liên quan tới sai hỏng mạng hoặc bất hợp thức mạng,... sự tồn tại của các trạng thái dưới bờ vùng cấm có liên quan tới độ dịch chuyển Stokes khác nhau trong các loại chấm lượng tử bán dẫn khác nhau. Làm rõ quá trình tái hợp phát quang theo cơ chế xảy ra trong cấu trúc lượng tử loại I hoặc loại khi thay đổi độ dày lớp vỏ (thay đổi sự chênh lệch (offset) năng lượng bờ vùng giữa vật liệu lõi và vật liệu vỏ). Nghiên cứu động học và nhiệt động học huỳnh quang bằng kỹ thuật huỳnh quang phân giải thời gian và huỳnh quang phụ thuộc nhiệt độ. Xác định thời gian sống của hạt tải điện trong trạng thái kích thích, quá trình truyền điện tích giữa các chấm lượng tử, tương tác/tán xạ trên hệ phonon trong các quá trình quang điện tử, năng lượng kích hoạt của các trạng thái tham gia trong các chuyển dời/tái hợp phát quang tương ứng. Nghiên cứu tương tác giữa plasmon với LO-phonon trong các chấm lượng tử ở vùng biên phân cách giữa lõi và vỏ.

Từ khoá

Lượng tử bán dẫn; Huỳnh quang

Nơi lưu trữ

24 Lý Thường Kiệt, Hà Nội

Ký hiệu kho

14090