Nghiên cứu một số cơ chế phát quang trong chấm lượng tử bán dẫn cấu trúc lõi/vỏ CdTe/CdS và CdSe/ZnS

Các nhiệm vụ khác

Nghiên cứu phát dục và thử nghiệm sinh sản nhân tạo cá Chiên (Bagarius yarrelli Sykes 1839) tại huyện Đức Trọng tỉnh Lâm Đồng
Nghiên cứu ứng dụng công nghệ copefloc trong nuôi tôm thẻ chân trắng
Sản xuất thử nghiệm giống lạc LDH01 và LDH04 tại vùng Duyên hải Nam Trung bộ và Tây Nguyên
Nghiên cứu ứng dụng và chuyển giao công nghệ xử lý hạt ngô giống bằng một số nano kim loại để tăng năng suất thu hoạch của cây ngô tại một số địa phương vùng Tây Bắc
Đánh giá việc giữ gìn và phát huy văn hóa truyền thống một số dân tộc thiểu số giai đoạn 1991-2000
Nghiên cứu phát triển cây luồng Thanh Hoá tại Bắc Giang
Nhân rộng mô hình trồng cam đường canh tại huyện Cát Tiên tỉnh Lâm Đồng
Nghiên cứu chế tạo máy phát điện ma sát nano hiệu quả cao sử dụng các vật liệu phế thải định hướng phát triển các thiết bị điện tử tự cấp nguồn
Chế tạo một số phần tử và thiết bị điều khiển đo lường quan trọng trên tàu thuỷ bằng phương pháp chuẩn module và ứng dụng các công nghệ tiên tiến - Tổng quan về vật tư linh kiện cho dự án
Danh mục công bố quốc tế giai đoạn 2010-2014 của các tổ chức nghiên cứu cơ bản lĩnh vực khoa học vật liệu (Dữ liệu tra cứu từ Science Direct)

liên kết website

Lượt truy cập

Lượt truy cập : 14,943,792

Kết quả thực hiện nhiệm vụ

MS đề tài

103.03-2013.27

Số đăng ký KQ

2017-48-900

Tên nhiệm vụ

Nghiên cứu một số cơ chế phát quang trong chấm lượng tử bán dẫn cấu trúc lõi/vỏ CdTe/CdS và CdSe/ZnS

Tổ chức chủ trì

Viện Khoa Học Vật Liệu

Cơ quan chủ quản

Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam

Cấp quản lý nhiệm vụ

Quốc gia

Thuộc chương trình

Chủ nhiệm nhiệm vụ

TS. Ứng Thị Diệu Thúy

Cán bộ phối hợp

GS.TS. Nguyễn Quang Liêm, ThS. Trần Thị Thương Huyền, TS. Trần Thị Kim Chi, ThS. Nguyễn Thu Loan, CN. Lê Văn Long;

Lĩnh vực nghiên cứu

Vật liệu điện tử

Thời gian bắt đầu

03/2014

Thời gian kết thúc

03/2017

Năm viết báo cáo

2017

Nơi viết báo cáo

Hà Nội

0 (triệu đồng)

Số trang

40 tr.

Tóm tắt

Nghiên cứu công nghệ chế tạo chấm lượng tử các cấu trúc khác nhau (loại I và loại II). Nghiên cứu vi hình thái và cấu trúc của vật liệu chế tạo được bằng các phương pháp hiển vi điện tử SEM, TEM, nhiễu xạ tia X, phổ tán xạ Raman, phân tích các nguyên tố thành phần bằng phương pháp vật lý (EDX, XRF). Nghiên cứu các chuyển dời điện tử trong các chấm lượng tử cấu trúc khác nhau bằng phương pháp phổ hấp thụ, phổ huỳnh quang phân giải cao; thảo luận về bản chất của các chuyển dời phát quang do chuyển dời exciton, hoặc do tái hợp điện tử-lỗ trống liên quan tới sai hỏng mạng hoặc bất hợp thức mạng,... sự tồn tại của các trạng thái dưới bờ vùng cấm có liên quan tới độ dịch chuyển Stokes khác nhau trong các loại chấm lượng tử bán dẫn khác nhau. Làm rõ quá trình tái hợp phát quang theo cơ chế xảy ra trong cấu trúc lượng tử loại I hoặc loại khi thay đổi độ dày lớp vỏ (thay đổi sự chênh lệch (offset) năng lượng bờ vùng giữa vật liệu lõi và vật liệu vỏ). Nghiên cứu động học và nhiệt động học huỳnh quang bằng kỹ thuật huỳnh quang phân giải thời gian và huỳnh quang phụ thuộc nhiệt độ. Xác định thời gian sống của hạt tải điện trong trạng thái kích thích, quá trình truyền điện tích giữa các chấm lượng tử, tương tác/tán xạ trên hệ phonon trong các quá trình quang điện tử, năng lượng kích hoạt của các trạng thái tham gia trong các chuyển dời/tái hợp phát quang tương ứng. Nghiên cứu tương tác giữa plasmon với LO-phonon trong các chấm lượng tử ở vùng biên phân cách giữa lõi và vỏ.

Từ khoá

Lượng tử bán dẫn; Huỳnh quang

Nơi lưu trữ

24 Lý Thường Kiệt, Hà Nội

Ký hiệu kho

14090