Nghiên cứu một số cơ chế phát quang trong chấm lượng tử bán dẫn cấu trúc lõi/vỏ CdTe/CdS và CdSe/ZnS

Các nhiệm vụ khác

Nghiên cứu đặc điểm sức khoẻ môi trường ở các quận huyện đang trong quá trình đô thịhoá của thành phố Hà Nội
Xã hội hóa dịch vụ công ở Việt Nam: Thực trạng và giải pháp
Nghiên cứu đề xuất các giải pháp khoahọc công nghệ xây dựng hệ thống đê bao bờ bao nhằm phát triển bền vững vùng ngập lũ Đồng bằng sông Cửu Long - Đề án quy hoạch phát triển đê bao bờ bao cho ba vùng ngập lũ Đồng bằng sông Cửu Long
Xây dựng quy trình phát hiện đột biến gen Thalassemia tại Hải Phòng dựa trên kỹ thuật Multiplex-PCR
Báo cáo tổng hợp đánh giá trình độ công nghệ sản xuất mía đường
Thực trạng sử dụng đội ngũ KH-CN trên địa bàn TPHCM nguyên nhân và các giải pháp phát huy hiệu quả
Nghiên cứu thiết kế và thi công đã bán ụ 25000 tấn - Thuyết minh tính toán
Nghiên cứu bảo tồn và phát triển nguồn gen một số loài thuỷ sản trên địa bàn tỉnh Hà Giang
Nghiên cứu xây dựng các biện pháp kỹ thuật tổng hợp để sử dụng bảo vệ và cải tạo độ phì nhiêu đất huyện Long Khánh – tỉnh Đồng Nai
Tăng cường giám định tư pháp trong lĩnh vực tài chính

liên kết website

Lượt truy cập

Lượt truy cập : 13079543

Kết quả thực hiện nhiệm vụ

MS đề tài

103.03-2013.27

Số đăng ký KQ

2017-48-900

Tên nhiệm vụ

Nghiên cứu một số cơ chế phát quang trong chấm lượng tử bán dẫn cấu trúc lõi/vỏ CdTe/CdS và CdSe/ZnS

Tổ chức chủ trì

Viện Khoa Học Vật Liệu

Cơ quan chủ quản

Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam

Cấp quản lý nhiệm vụ

Quốc gia

Thuộc chương trình

Chủ nhiệm nhiệm vụ

TS. Ứng Thị Diệu Thúy

Cán bộ phối hợp

GS.TS. Nguyễn Quang Liêm, ThS. Trần Thị Thương Huyền, TS. Trần Thị Kim Chi, ThS. Nguyễn Thu Loan, CN. Lê Văn Long

Lĩnh vực nghiên cứu

Vật liệu điện tử

Thời gian bắt đầu

03/2014

Thời gian kết thúc

03/2017

Năm viết báo cáo

2017

Nơi viết báo cáo

Hà Nội

0 (triệu đồng)

Số trang

40 tr.

Tóm tắt

Nghiên cứu công nghệ chế tạo chấm lượng tử các cấu trúc khác nhau (loại I và loại II). Nghiên cứu vi hình thái và cấu trúc của vật liệu chế tạo được bằng các phương pháp hiển vi điện tử SEM, TEM, nhiễu xạ tia X, phổ tán xạ Raman, phân tích các nguyên tố thành phần bằng phương pháp vật lý (EDX, XRF). Nghiên cứu các chuyển dời điện tử trong các chấm lượng tử cấu trúc khác nhau bằng phương pháp phổ hấp thụ, phổ huỳnh quang phân giải cao; thảo luận về bản chất của các chuyển dời phát quang do chuyển dời exciton, hoặc do tái hợp điện tử-lỗ trống liên quan tới sai hỏng mạng hoặc bất hợp thức mạng,... sự tồn tại của các trạng thái dưới bờ vùng cấm có liên quan tới độ dịch chuyển Stokes khác nhau trong các loại chấm lượng tử bán dẫn khác nhau. Làm rõ quá trình tái hợp phát quang theo cơ chế xảy ra trong cấu trúc lượng tử loại I hoặc loại khi thay đổi độ dày lớp vỏ (thay đổi sự chênh lệch (offset) năng lượng bờ vùng giữa vật liệu lõi và vật liệu vỏ). Nghiên cứu động học và nhiệt động học huỳnh quang bằng kỹ thuật huỳnh quang phân giải thời gian và huỳnh quang phụ thuộc nhiệt độ. Xác định thời gian sống của hạt tải điện trong trạng thái kích thích, quá trình truyền điện tích giữa các chấm lượng tử, tương tác/tán xạ trên hệ phonon trong các quá trình quang điện tử, năng lượng kích hoạt của các trạng thái tham gia trong các chuyển dời/tái hợp phát quang tương ứng. Nghiên cứu tương tác giữa plasmon với LO-phonon trong các chấm lượng tử ở vùng biên phân cách giữa lõi và vỏ.

Từ khoá

Lượng tử bán dẫn; Huỳnh quang

Nơi lưu trữ

24 Lý Thường Kiệt, Hà Nội

Ký hiệu kho

14090