Nghiên cứu trạng thái bề mặt ô-xit/bán dẫn trong cấu trúc high-k/GaN(AlGaN) ứng dụng cho linh kiện điện tử tần số và công suất cao

Các nhiệm vụ khác

Hoàn thiện hệ thống Tiêu chuẩn thẩm định giá ở Việt Nam
Nghiên cứu ứng dụng GPS pathfinder trong các lĩnh vực trắc địa khác nhau
Nhiên cứu sản xuất mỡ canxi TN-150
Nghiên cứu nhu cầu lắp đặt nguồn điện mặt trời mái nhà nối lưới đáp ứng nhu cầu phụ tải tại chỗ và cơ chế, chính sách khuyến khích phát triển điện mặt trời mái nhà ở khu vực Miền Bắc
Danh mục công trình đã công bố của đề tài: Sở hữu trong nền kinh tế thị trường hiện đại: Lý luận thực tiễn thế giới và vấn đề của Việt Nam
Đánh giá tài nguyên đất nông nghiệp đề xuất mô hình sử dụng đất với cơ cấu cây trồng có hiệu quả kinh tế và bền vững về môi trường vùng lưu vực sông Đà thuộc ba tỉnh Lai Châu Sơn La Điện Biên
Điều tra đánh giá hiệu quả cấp đất sản xuất cho hộ gia đình dân tộc thiểu số nghèo trong một số chương trình chính sách do Ủy ban Dân tộc quản lý
Nghiên cứu một số giải pháp khoa học công nghệ nhằm nâng cao năng suất chất lượng tơ kén - Đề tài nhánh: Sổ số liệu gốc: Nghiên cứu cơ cấu giống tằm thích hợp theo vùng và mùa
Xây dựng mô hình làm giàu rừng bằng các loài cây Sa nhân Ba kích và mây dưới tán rừng thứ sinh tại huyện Đình Lập Tỉnh Lạng Sơn
Nghiên cứu đánh giá tác động của các chương trình mục tiêu quốc gia giáo dục và đào tạo giai đoạn 2005-2015 trên địa bàn Tây Bắc

liên kết website

Lượt truy cập

Lượt truy cập : 14,782,900

Kết quả thực hiện nhiệm vụ

MS đề tài

103.02-2015.31

Số đăng ký KQ

2020-52-373/KQNC

Tên nhiệm vụ

Nghiên cứu trạng thái bề mặt ô-xit/bán dẫn trong cấu trúc high-k/GaN(AlGaN) ứng dụng cho linh kiện điện tử tần số và công suất cao

Tổ chức chủ trì

Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội

Cơ quan chủ quản

Bộ Giáo dục và Đào tạo

Cấp quản lý nhiệm vụ

Quốc gia

Thuộc chương trình

Chủ nhiệm nhiệm vụ

TS. Nguyễn Hoàng Thoan

Cán bộ phối hợp

PGS.TS.Nguyễn Ngọc Trung, TS.Nguyễn Xuân Sáng, TS.Lưu Thị Lan Anh, ThS.Trịnh Minh Ngọc, ThS.Nguyễn Trung Đô, ThS.Phạm Văn Thắng, TS.Phạm Phi Hùng;

Lĩnh vực nghiên cứu

Hoá lý

Thời gian bắt đầu

01/05/2016

Thời gian kết thúc

01/05/2019

Năm viết báo cáo

2020

Nơi viết báo cáo

Hà Nội

Kinh phí

715 (triệu đồng)

Số trang

105 tr. + phụ lục

Tóm tắt

Chế tạo thành công cấu trúc MOS high-/GaN cho linh kiện MOS-HEMT GaN. Chế tạo thành công cấu trúc MOS high-/GaN/AlGaN cho linh kiện MOS-HEMT. Nghiên cứu tính chất vật lý trong lớp phân biên của các cấu trúc chuyển tiếp trên cơ sở bán dẫn GaN(AlGaN) với ô-xit có hằng số điện môi cao (gồm Al2O3, HfO2...); Đưa ra các mô hình sai hỏng và làm rõ cơ chế hình thành các mức bẫy điện tử bề mặt tại phân biên bán dẫn/ô-xit; Tối ưu hóa quy trình công nghệ chế tạo linh kiện MOS high-/GaN(AlGaN). Chế tạo thử nghiệm linh kiện MOS-HEMT GaN(AlGaN) nhằm đánh giá ảnh hưởng của phân biên tới hoạt động của linh kiện này. Đưa ra cách thụ động hóa hiệu quả các trạng thái bẫy bề mặt (sử dụng lớp thụ động hóa SiN, hoặc ủ nhiệt trong môi trường khí H2) để nâng cao phẩm chất của linh kiện MOS và MOS-HEMT.

Từ khoá

Linh kiện điện tử; Công suất; Tần số; Bề mặt ô-xit; Cấu trúc high-k/GaN(AlGaN)

Nơi lưu trữ

24 Lý Thường Kiệt, Hà Nội

Ký hiệu kho

17273