Nghiên cứu trạng thái bề mặt ô-xit/bán dẫn trong cấu trúc high-k/GaN(AlGaN) ứng dụng cho linh kiện điện tử tần số và công suất cao

Các nhiệm vụ khác

So sánh sự phát triển tâm thần vận động và thể chất của trẻ sinh ra từ chương trình thụ tinh trong ống nghiệm với trẻ sinh ra do mang thai tự nhiên tại bệnh viện Từ Dũ
Nghiên cứu chế tạo hệ thống sử dụng công nghệ RFID tần số cao (HF) để nâng cao hiệu quả quản lý sinh viên và giảng viên tại các cơ sở đào tạo
Nghiên cứu xây dựng luận cứ phát triển kinh tế xã hội tỉnh Thái Nguyên giai đoạn 2005-2010
Hoàn thiện công nghệ sản xuất sắt xốp và nghiên cứu sử dụng sắt xốp để luyện một số thép hợp kim phục vụ kinh tế và quốc phòng
Nghiên cứu hoàn thiện công cụ đo kiểm phân tích và đánh giá chất lượng mạng và dịch vụ 4G (LTE/LTE Advanced)
Nghiên cứu các giải pháp chiến lược đầu tư phát triển giáo dục và đào tạo đến năm 2000 và 2005
Nghiên cứu công nghệ chế tạo vỏ khuôn đúc áp lực bằng gang cầu FCD500
Đánh giá thực trạng công bố quốc tế của các đề tài NCCB trong KHTN giai đoạn 2009 - 2014 đề xuất định hướng công bố quốc tế giai đoạn 2016 - 2020
Nghiên cứu đánh giá tài nguyên đất gò đồi vùng Đông Bắc phục vụ phát triển kinh tế nông nghiệp - Đất gò đồi Đông Bắc: hiện trạng và định hướng sử dụng bền vững
Nghiên cứu lựa chọn tiến bộ khoa học kỹ thuật và xây dựng mô hình cấp cứu nhi khoa phù hợp các tuyến nhằm giảm tỷ lệ tử vong trong 24 giờ đầu - Nghiên cứu hiện trạng cấp cứu nhi khoa - Nghiên cứu xây dựng thí điểm hệ thống cấp cứu nhi tại bệnh viện nhi Tr

liên kết website

Lượt truy cập

Lượt truy cập : 16,856,992

Kết quả thực hiện nhiệm vụ

MS đề tài

103.02-2015.31

Số đăng ký KQ

2020-52-373/KQNC

Tên nhiệm vụ

Nghiên cứu trạng thái bề mặt ô-xit/bán dẫn trong cấu trúc high-k/GaN(AlGaN) ứng dụng cho linh kiện điện tử tần số và công suất cao

Tổ chức chủ trì

Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội

Cơ quan chủ quản

Bộ Giáo dục và Đào tạo

Cấp quản lý nhiệm vụ

Quốc gia

Thuộc chương trình

Chủ nhiệm nhiệm vụ

TS. Nguyễn Hoàng Thoan

Cán bộ phối hợp

PGS.TS.Nguyễn Ngọc Trung, TS.Nguyễn Xuân Sáng, TS.Lưu Thị Lan Anh, ThS.Trịnh Minh Ngọc, ThS.Nguyễn Trung Đô, ThS.Phạm Văn Thắng, TS.Phạm Phi Hùng;

Lĩnh vực nghiên cứu

Hoá lý

Thời gian bắt đầu

01/05/2016

Thời gian kết thúc

01/05/2019

Năm viết báo cáo

2020

Nơi viết báo cáo

Hà Nội

Kinh phí

715 (triệu đồng)

Số trang

105 tr. + phụ lục

Tóm tắt

Chế tạo thành công cấu trúc MOS high-/GaN cho linh kiện MOS-HEMT GaN. Chế tạo thành công cấu trúc MOS high-/GaN/AlGaN cho linh kiện MOS-HEMT. Nghiên cứu tính chất vật lý trong lớp phân biên của các cấu trúc chuyển tiếp trên cơ sở bán dẫn GaN(AlGaN) với ô-xit có hằng số điện môi cao (gồm Al2O3, HfO2...); Đưa ra các mô hình sai hỏng và làm rõ cơ chế hình thành các mức bẫy điện tử bề mặt tại phân biên bán dẫn/ô-xit; Tối ưu hóa quy trình công nghệ chế tạo linh kiện MOS high-/GaN(AlGaN). Chế tạo thử nghiệm linh kiện MOS-HEMT GaN(AlGaN) nhằm đánh giá ảnh hưởng của phân biên tới hoạt động của linh kiện này. Đưa ra cách thụ động hóa hiệu quả các trạng thái bẫy bề mặt (sử dụng lớp thụ động hóa SiN, hoặc ủ nhiệt trong môi trường khí H2) để nâng cao phẩm chất của linh kiện MOS và MOS-HEMT.

Từ khoá

Linh kiện điện tử; Công suất; Tần số; Bề mặt ô-xit; Cấu trúc high-k/GaN(AlGaN)

Nơi lưu trữ

24 Lý Thường Kiệt, Hà Nội

Ký hiệu kho

17273