Các nhiệm vụ khác
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  13079543
  • Kết quả thực hiện nhiệm vụ

103.02-2015.31

2020-52-373/KQNC

Nghiên cứu trạng thái bề mặt ô-xit/bán dẫn trong cấu trúc high-k/GaN(AlGaN) ứng dụng cho linh kiện điện tử tần số và công suất cao

Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội

Bộ Giáo dục và Đào tạo

Quốc gia

TS. Nguyễn Hoàng Thoan

PGS.TS.Nguyễn Ngọc Trung, TS.Nguyễn Xuân Sáng, TS.Lưu Thị Lan Anh, ThS.Trịnh Minh Ngọc, ThS.Nguyễn Trung Đô, ThS.Phạm Văn Thắng, TS.Phạm Phi Hùng

Hoá lý

01/05/2016

01/05/2019

2020

Hà Nội

105 tr. + phụ lục

Chế tạo thành công cấu trúc MOS high-/GaN cho linh kiện MOS-HEMT GaN. Chế tạo thành công cấu trúc MOS high-/GaN/AlGaN cho linh kiện MOS-HEMT. Nghiên cứu tính chất vật lý trong lớp phân biên của các cấu trúc chuyển tiếp trên cơ sở bán dẫn GaN(AlGaN) với ô-xit có hằng số điện môi cao (gồm Al2O3, HfO2...); Đưa ra các mô hình sai hỏng và làm rõ cơ chế hình thành các mức bẫy điện tử bề mặt tại phân biên bán dẫn/ô-xit; Tối ưu hóa quy trình công nghệ chế tạo linh kiện MOS high-/GaN(AlGaN). Chế tạo thử nghiệm linh kiện MOS-HEMT GaN(AlGaN) nhằm đánh giá ảnh hưởng của phân biên tới hoạt động của linh kiện này. Đưa ra cách thụ động hóa hiệu quả các trạng thái bẫy bề mặt (sử dụng lớp thụ động hóa SiN, hoặc ủ nhiệt trong môi trường khí H2) để nâng cao phẩm chất của linh kiện MOS và MOS-HEMT.
 

Linh kiện điện tử; Công suất; Tần số; Bề mặt ô-xit; Cấu trúc high-k/GaN(AlGaN)

24 Lý Thường Kiệt, Hà Nội

17273