Các nhiệm vụ khác
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  13079543
  • Ứng dụng kết quả thực hiện nhiệm vụ

103.02-2012.41

2017-52-058

Nghiên cứu hiệu ứng nhân hạt tải điện trong Ge và SiGe nanô tinh thể trên nền vật liệu vùng cấm rộng

Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội

Bộ Giáo dục và Đào tạo

Quốc gia

TS. Ngô Ngọc Hà

TS. Vũ Văn Thú, ThS. Bùi Quang Thanh, KS. Hồ Văn Chương, CN. Phạm Sơn Tùng

Vật lý hạt nhân

28/12/2016

2017-52-058

Đưa ra được quy trình chế tạo vật liệu nano Ge và Si trong nên vật liệu SiO2. Nghiên cứu được quá trình hồi phục của các hạt tải điện sinh ra trong quá trình kích thích quang học của loại vật liệu này, đồng thời đưa ra mô hình giải thích được kết quả nghiên cứu. Các kết quả nghiên cứu chuyên giao cho Viện Đào tạo Quốc tế về Khoa học Vật liệu (ITIMS), Đại học Bách khoa Hà Nội phục vụ trong đào tạo sau đại học tại đơn vị.
13248
Đây là hướng nghiên cứu Vật lý, Vật liệu bán dẫn cơ bản, tạo ra một lực lượng lao động có trình độ cao và có kiến thức chuyên môn sâu rộng trong lĩnh vực Vật lý nói chung và Vật liệu bán dân nói riêng. Điều này có thể giúp cải thiện chất lượng và sức cạnh tranh của nguồn nhân lực, từng bước thúc đẩy sự phát triển kinh tế của quốc gia.

Vật liệu nanô; Pin mặt trời; Hạt tải điện

Ứng dụng

Đề tài KH&CN

Số lượng công bố trong nước: 0

Số lượng công bố quốc tế: 0

Không

Không