BỘ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ
HỆ THỐNG THÔNG TIN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ

Lọc theo danh mục
  • Năm xuất bản
    Xem thêm
  • Lĩnh vực
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  17,349,665
  • Công bố khoa học và công nghệ Việt Nam

Khoa học kỹ thuật và công nghệ

BB

Nguyễn Văn Tuấn, Trần Quang Đạt(1), Nguyễn Vũ Tùng, Phùng Đình Phong, Phạm Văn Thìn

Tính chất quang của màng mỏng InSb trên đế c-sapphire được chế tạo bằng phương pháp lắng đọng laser xung

Optical properties of InSb thin films on c-sapphire substrates produced by pulsed laser deposition

Journal of Science and Technique

2022

02

5

Màng mỏng 1 μm-InSb kết tinh trên đế c-sapphire được chế tạo bằng phương pháp lắng đọng laser xung (PLD) và được nghiên cứu. Phân tích nhiễu xạ tia X (XRD) cho thấy màng InSb giàu Sb được cấu tạo từ các tinh thể nano ở các kích thước khác nhau từ 148 nm đến 322 nm, trong dải nhiệt độ tạo mẫu (Td) 250°C-400°C. Ở Td thấp (< 400°C), màng InSb kết tinh với cấu trúc đa tinh thể, trong khi ở 400°C màng có cấu trúc gần như đơn tinh thể của họ tinh thể zinc blende. Ảnh hiển vi điện tử quét (SEM) và lực nguyên tử (AFM) phù hợp với kết quả phân tích XRD, và cho thấy màng có cấu trúc vi mô biến đổi từ cấu trúc vi hạt ở Td thấp sang cấu trúc gần như liên tục (hạt to) ở Td cao hơn. Phép đo phổ tán xạ Raman cho thấy màng chế tạo có các phương thức dao động khác nhau (2TA, TO-TA, Sb-Sb, TO, và LO) phụ thuộc vào Td. Phép đo phổ hồng ngoại biến đổi Fourier (FTIR) cho thấy có sự giảm năng lượng vùng cấm theo Td.

1 μm-InSb crystallized thin films were successfully deposited based on Pulsed Laser Deposition (PLD) approach, and later characterized. XRD analysis reveals that the InSb films with Sb in excess are constituted by a wide range of various nanocrystals, of which the sizes are from 148 nm to 322 nm corresponding to different deposited temperatures (Td) ranging from 250°C to 400°C. While films show polycrystalline properties at low Td (< 400°C), nearly single crystallized films have been achieved at higher Td with space group structure of Zinc Blende. Microstructural analysis performed by Scanning Electron Microscopy (SEM) and Atomic Force Microscopy (AFM) agrees with results obtained from XRD and suggests that microstructure is transformed from small grains in size to bigger ones with increasing Td. In addition, Raman scattering spectroscopy illustrates that the fabricated films have a variety modes of vibration, which can be 2TA, TO-TA, Sb-Sb, TO, and LO depending on the sample Td. By means of Fourier transform infrared (FTIR) measurement, a decrease in the band-gap energy of deposited films is observed with increasing Td.

Xem toàn văn