Các hoạt động nghiên cứu và phát triển trong lĩnh vực năng lượng tái tạo hiện đang rất sôi động trong việc tìm ra các vật liệu mới, các quy trình sản xuất pin mặt trời mới. Pin mặt trời dựa trên vật liệu perovskite gần đây trở nên cực kỳ hấp dẫn với số lượng các công bố khoa học tăng một cách chóng mặt. Loại vật liệu này có thể cho ra đời quy trình sản xuất đơn giản và thu được pin có hiệu suất cao với khả năng tăng sản lượng công nghiệp. Tuy nhiên sự ổn định của linh kiện và các tính chất truyền dẫn hiện tại vẫn còn được hiểu một cách hạn chế. Trong đề tài này, phương pháp tổng hợp bằng dung dịch hóa học vật liệu perovskite hữu cơ kết hợp các nguyên tố halogen sẽ được thực hiện. Pin mặt trời có lớp hấp thụ dựa trên vật liệu perovskite sẽ được chế tạo. Việc tối ưu giá trị vùng cấm của vật liệu hấp thụ bằng cách sử dụng bộ ba nguyên tố thiếc - i ốt - brôm hoặc thiếc - chì - i ốt sẽ được nghiên cứu cụ thể nhằm thu được linh kiện có hiệu suất và độ ổn định cao nhất. Việc tối ưu toàn bộ quy trình chế tạo pin mặt trời cũng sẽ được tiến hành có thể bao gồm cả quy trình phủ vật liệu phẳng bằng phương pháp vật lý.