Đề tài tập trung thiết kế, chế tạo và khảo sát tính năng của hệ vi cảm biến điện hóa dùng phương pháp vôn-ampe hòa tan anốt xung vi sai (DP ASV) trên cơ sở silic xốp phủ vàng. DP ASV cho phép giảm LOD; độ xốp cao cho phép tăng độ nhạy; lớp vàng phủ điện cực cho phép tăng hoạt tính của chất phân tích và kéo dài tuổi thọ của điện cực; các vi điện cực và hệ vi dẫn lưu cho phép giảm thiểu dung lượng chất phân tích, giảm nhiễu nền và góp phần giảm LOD;_x000d_ Các vi cảm biến được chế tạo bằng công nghệ MEMS cho phép giảm kích thước, giảm giá thành, đặc biệt, có thể điều chỉnh các thông số cảm biến để tạo ra các cảm biến có độ nhạy, LOD giống nhau hoặc khác nhau, cho phép kiểm tra định lượng các dung dịch có nồng độ khác nhau;_x000d_ Tích hợp cảm biến với các thành phần điện tử (bộ thiết lập và điều khiển tự động quá trình điện hóa, bộ xử lý/hiển thị tín hiệu), để tạo ra thiết bị cảm biến gọn, dễ sử dụng, phù hợp với công tác đo đạc tại chỗ;_x000d_ Thiết bị cảm biến có ứng dụng lớn trong việc phát hiện nhanh và chính xác độc tố asen trong nước, có thể được dùng trong phòng thí nghiệm, kiểm tra tại chỗ. Các thiết bị này rất hữu ích cho người dân sống ở Việt Nam nơi asen tồn tại ở rất nhiều tỉnh thành với hàm lượng rất cao, vượt xa ngưỡng cho phép. Kết quả đề tài không chỉ là các cảm biến và thiết bị cảm biến, mà còn là phương pháp luận để chế tạo một dạng cảm biến mới dùng silic xốp phủ vàng làm lớp cảm ứng, và phương pháp DP ASV rất nhạy để phát hiện asen có nồng độ khác nhau.