Nghiên cứu chế tạo màng mỏng dạng delafossite CuFeO2 bằng phương pháp phún xạ nhằm ứng dụng chế tạo pin năng lượng mặt trời

Các nhiệm vụ khác

Nghiên cứu xây dựng hệ thống mô phỏng hỗ trợ đào tạo thanh nhạc dựa trên công nghệ thực tại ảo tại trường Cao đẳng nghệ thuật Hà Nội.
Nghiên cứu ứng dụng chỉ thị phân tử chọn tạo giống lạc kháng bệnh héo xanh vi khuẩn Ralstonia Solanacearum Smith (giai đoạn 2)
Ứng dụng công nghệ phantom trong kiểm định thiết bị x-quang chân đoán y tế trên địa bàn tỉnh Phú Thọ
Tính đa dạng di truyền xoài cát Hòa Lộc tại tỉnh Tiền Giang
Phát triển nguồn nhân lực chất lượng cao đáp ứng yêu cầu chuyển đổi mô hình tăng trưởng ở nước ta hiện nay
Thanh tra với cuộc đấu tranh chống tham nhũng hiện nay
Giám định phân tử và di truyền học quần thể của các rừng gỗ Pơ Mu (Fokienia hodginsii) tại Việt Nam
Nghiên cứu các ứng dụng công nghệ thông tin và truyền thông phục vụ ứng phó với các thảm họa ở Việt Nam
Xây dựng mô hình tổ chức và hoạt động của Ngân hàng Phát triển Việt Nam trong bối cảnh mới
Thực trạng suy dinh dưỡng trẻ em dưới 5 tuổi tỉnh Bà Rịa-Vũng Tàu và biện pháp can thiệp

liên kết website

Lượt truy cập

Lượt truy cập : 14,802,533

Kết quả thực hiện nhiệm vụ

Số đăng ký KQ

2018-53-138

Tên nhiệm vụ

Nghiên cứu chế tạo màng mỏng dạng delafossite CuFeO2 bằng phương pháp phún xạ nhằm ứng dụng chế tạo pin năng lượng mặt trời

Tổ chức chủ trì

Trường Đại học Khoa học Tự nhiên

Cơ quan chủ quản

Đại học Quốc gia Hà Nội

Cấp quản lý nhiệm vụ

Bộ

Thuộc chương trình

Chủ nhiệm nhiệm vụ

TS. Nguyễn Trần Thuật

Cán bộ phối hợp

PGS.TS. Nguyễn Hoàng Hải, TS. Hoàng Chí Hiếu, ThS. Nguyễn Minh Hiếu; Nguyễn Trần Thuật⁽¹⁾; Hoàng Chí Hiếu⁽²⁾;

Lĩnh vực nghiên cứu

Kỹ thuật điện và điện tử

Thời gian bắt đầu

04/2014

Thời gian kết thúc

04/2016

Năm viết báo cáo

2016

Nơi viết báo cáo

Hà Nội

Kinh phí

200 (triệu đồng)

Số trang

29 + Phụ lục

Tóm tắt

Nghiên cứu chế tạo màng mỏng trong suốt dẫn điện pha tạp n ZnO:Al bằng phương pháp phún xạ: Nghiên cứu quy trình phún xạ tối ưu chế tạo màng ZnO:A1 từ bia AZO; Ủ nhiệt và đánh giá đặc trưng dẫn điện và truyền sáng và các thông số quang học cùa màng ZnO:Al. Nghiên cứu chế tạo màng mỏng delafossite CuFeO2 bằng phương pháp phún xạ: Dùng phương pháp đồng phún xạ trên hai bia Cu2O và Fe2O3; Ủ nhiệt các mẫu để tạo màng delafossite CuFeO2; Đánh giá cấu trúc tinh thể, tính truyền sáng và tính dẫn điện của màng delafossite thu được. Nghiên cứu chế tạo pin mặt trời mặt tiếp giáp dị thể giữa vật liệu dẫn loại phún xạ delafossite CuFe02và vật liệu dẫn điện trong suốt loại n ZnO:Al bằng phương pháp phún xạ: Áp dụng quy trình chế tạo màng mỏng tối ưu để chế tạo các màng đa lớp CuFeO2/ZnO:Al trên đế kính cùng với chế tạo điện cực tạo thành pin; Đánh giá đặc tính dẫn điện, bề dầy và các hằng số quang học của pin mặt trời mối nối dị thể dựa trên màng delafossite CuFe02 thu được.

Từ khoá

Pin năng lượng mặt trời; Phương pháp phún xạ; Chế tạo; Ứng dụng; Màng delafossite CuFeO2

Nơi lưu trữ

24 Lý Thường Kiệt, Hà Nội

Ký hiệu kho

14668