Nghiên cứu chế tạo màng mỏng dạng delafossite CuFeO2 bằng phương pháp phún xạ nhằm ứng dụng chế tạo pin năng lượng mặt trời

Các nhiệm vụ khác

Tỷ lệ và các yếu tố liên quan đến nhiễm khuẩn bệnh viện ở trẻ sơ sinh tại phòng dưỡng nhi bệnh viện Đa khoa Bình Dương 2004 – 2006 – Đề xuất giải pháp hạn chế nhiễm khuẩn bệnh viện
Hoàn thiện cơ chế tổ chức thanh toán trong điều kiện nền kinh tế thị trường ở Việt Nam giai đoạn 2000-2005
Nghiên cứu ứng dụng công nghệ bao gói điều biến khí (Modified atmosphere Packaging-MAP) nhằm nâng cao giá trị một số loại rau quả xuất khẩu và tiêu dùng trong nước
thực trạng suy dinh dưỡng thể cấp còi và một số yếu tố liên quan của trẻ 0 - 12 tuổi ở Vĩnh Phúc năm 2009
Những giải pháp nâng cao hiệu quả ứng dụng công nghệ thông tin trong hệ thống Học viện Chính trị Quốc gia Hồ Chí Minh
Nghiên cứu chế tạo pin nhiên liệu sử dụng trực tiếp etanol trên cơ sở xúc tác Pt/Graphen biến tính
Nghiên cứu và áp dụng các biện pháp kỹ thuật nâng cao tính an toàn và ổn định kinh tế trong vận hành hệ thống điện I
Đánh giá hiện trạng chất thải công nghiệp từ các đơn vị thuộc Sở Công nghiệp và đề xuất phương án giảm thiểu tác động xấu đến môi trường
Nghiên cứu sử dụng than cám chất lượng thấp trộn với than ngoại nhập của các nước trong khu vực cho các lò hơi nhà máy nhiệt điện Việt Nam
Khảo sát tình hình sản xuất và đánh giá hàm lượng saponin triterpen của giống đinh lăng lá nhỏ Polycias fruticosa trồng tại TpHCM và khu vực lân cận

liên kết website

Lượt truy cập

Lượt truy cập : 17,029,829

Kết quả thực hiện nhiệm vụ

Số đăng ký KQ

2018-53-138

Tên nhiệm vụ

Nghiên cứu chế tạo màng mỏng dạng delafossite CuFeO2 bằng phương pháp phún xạ nhằm ứng dụng chế tạo pin năng lượng mặt trời

Tổ chức chủ trì

Trường Đại học Khoa học Tự nhiên

Cơ quan chủ quản

Đại học Quốc gia Hà Nội

Cấp quản lý nhiệm vụ

Bộ

Thuộc chương trình

Chủ nhiệm nhiệm vụ

TS. Nguyễn Trần Thuật

Cán bộ phối hợp

PGS.TS. Nguyễn Hoàng Hải, TS. Hoàng Chí Hiếu, ThS. Nguyễn Minh Hiếu; Nguyễn Trần Thuật⁽¹⁾; Hoàng Chí Hiếu⁽²⁾;

Lĩnh vực nghiên cứu

Kỹ thuật điện và điện tử

Thời gian bắt đầu

04/2014

Thời gian kết thúc

04/2016

Năm viết báo cáo

2016

Nơi viết báo cáo

Hà Nội

Kinh phí

200 (triệu đồng)

Số trang

29 + Phụ lục

Tóm tắt

Nghiên cứu chế tạo màng mỏng trong suốt dẫn điện pha tạp n ZnO:Al bằng phương pháp phún xạ: Nghiên cứu quy trình phún xạ tối ưu chế tạo màng ZnO:A1 từ bia AZO; Ủ nhiệt và đánh giá đặc trưng dẫn điện và truyền sáng và các thông số quang học cùa màng ZnO:Al. Nghiên cứu chế tạo màng mỏng delafossite CuFeO2 bằng phương pháp phún xạ: Dùng phương pháp đồng phún xạ trên hai bia Cu2O và Fe2O3; Ủ nhiệt các mẫu để tạo màng delafossite CuFeO2; Đánh giá cấu trúc tinh thể, tính truyền sáng và tính dẫn điện của màng delafossite thu được. Nghiên cứu chế tạo pin mặt trời mặt tiếp giáp dị thể giữa vật liệu dẫn loại phún xạ delafossite CuFe02và vật liệu dẫn điện trong suốt loại n ZnO:Al bằng phương pháp phún xạ: Áp dụng quy trình chế tạo màng mỏng tối ưu để chế tạo các màng đa lớp CuFeO2/ZnO:Al trên đế kính cùng với chế tạo điện cực tạo thành pin; Đánh giá đặc tính dẫn điện, bề dầy và các hằng số quang học của pin mặt trời mối nối dị thể dựa trên màng delafossite CuFe02 thu được.

Từ khoá

Pin năng lượng mặt trời; Phương pháp phún xạ; Chế tạo; Ứng dụng; Màng delafossite CuFeO2

Nơi lưu trữ

24 Lý Thường Kiệt, Hà Nội

Ký hiệu kho

14668