Các nhiệm vụ khác
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  13079543
  • Kết quả thực hiện nhiệm vụ

KC.05.06/11-15

2014 - 52 - 310

Nghiên cứu công nghệ Spray ILGAR (Ion Layer Gas Reaction) để chế tạo các phần tử pin mặt trời màng mỏng họ Me/ZnO/CdS(InxSy)/Cu(InGa) (SSe)2/Me/glass

Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội

Bộ Giáo dục và Đào tạo

Quốc gia

GS.TS. Võ Thạch Sơn

ThS. Lưu Thị Lan Anh, ThS. Phạm Phi Hùng, TS. Trần Thanh Thái, ThS. Lê Ngọc Minh, ThS. Nguyễn Đức Hiếu

Quang học

01/2012

12/2013

2013

Hà Nội`

155

Tổng quan nguyên lý hoạt động của pin mặt trời, quy trình công nghệ chế tạo pin mặt trời màng mỏng cấu trúc đảo Glass/ZnO:In/CdS/CuInS2 lắng động bằng phương pháp SPD ILGAR. Tập trung vào nghiên cứu ảnh hưởng của các thông số công nghệ đến các tính chất của lớp hấp thụ (chiều dày màng, kích thước hạt, hệ số hấp thụ. Các thông số của chuyển tiếp lớp hấp thụ/lớp đệm, khả năng tăng hiệu suất n,…). Xây dựng hệ công nghệ lắng đọng màng mỏng bằng phương pháp spray ILGAR. Nghiên cứu và làm chủ công nghệ lắng đọng phần tử pin mặt trời màng mỏng Me/ZnO/CdS(InxSy)/Cu(In,Ga)(S,Se)2/Me/glass. Nghiên cứu mô phỏng và khảo sát quá trình già hóa của cấu trúc pin mặt trời. Nghiên cứu chế tạo các tế bào mặt trời màng mỏng. Chế tạo thử nghiemj bản modul trên cơ sở các tế bào mặt trời chế tạo.

công nghệ spray; chế tao; phần tử; pin mặt trời; màng mỏng

24 Lý Thường Kiệt, Hà Nội

10410