Các nhiệm vụ khác
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  13079543
  • Kết quả thực hiện nhiệm vụ

103.02-2018.309

2021-52-1386/KQNC

Nghiên cứu mô hình xuyên hầm qua vùng cấm và thiết kế cấu trúc các transistor hiệu ứng trường xuyên hầm

Trường Đại học Đà Lạt

Bộ Giáo dục và Đào tạo

Quốc gia

PGS. TS. Nguyễn Đăng Chiến

PGS. TS. Lưu Thế Vinh; TS. Lê Văn Tùng; TS. Phan Văn Chuân; ThS. Dương Thị Thanh Hiên

Vật lý các chất cô đặc

01/04/2019

01/03/2021

2021

Lâm Đồng

87 tr. + Phụ lục

Chứng minh tính đúng đắn của mẫu xuyên hầm hỗn hợp dựa trên nguyên lý đối xứng, cụ thể là đối xứng giữa các đường đặc tuyến dòng-thế của TFET loại n và p. Làm sáng tỏ sự phụ thuộc của bề dày thân linh kiện tối ưu vào EOT và hằng số điện môi của thân trong TFET lưỡng cổng. Cụ thể hơn, bề dày thân tối ưu sẽ được biểu diễn trên đồ thị như là một hàm của EOT và hằng số điện môi của thân linh kiện. Khảo sát toàn diện ảnh hưởng của tỷ số EOT, chiều dài kênh và loại cấu trúc linh kiện đến tham số được thiết kế tối ưu của lớp HGD để đưa ra một phương pháp cô đọng cho việc thiết kế các HGD-TFET. Thiết kế tối ưu cho hốc pha tạp ngang trong TFET xuyên hầm đường sử dụng vật liệu vùng cấm nhỏ InGaAs. Ngoài ra, chúng tôi cũng sẽ chứng tỏ rằng có một giới hạn trên của chiều dài chồng phủ cổng-nguồn mà tại đó dòng mở đạt cực đại. Ảnh hưởng của cấu trúc lưỡng cổng và việc giảm kích thước điện môi tới hoạt động của linh kiện nhớ điện tĩnh (non-volatile memory) cấu trúc MOS.

Mô hình xuyên hầm; Linh kiện; Transistor; Cấu trúc lưỡng cổng; Cấu trúc MOS

24 Lý Thường Kiệt, Hà Nội

19647