Thiết kế và chế tạo pin mặt trời có hiệu suất chuyển đổi năng lượng cao sử dụng vật liệu PbS/CdS chấm lượng tử có cấu trúc lõi vỏ và lớp ô xít kim loại có cấu trúc nano ZnO. Lớp vỏ CdS được sử dụng nhằm bảo vệ lớp lõi PbS và thụ động hóa các trạng thái bẫy trên bề mặt của chấm lượng tử PbS. Việc thụ động hóa các trạng thái bẫy trên bề mặt chấm lượng tử sẽ làm giảm nồng độ lỗ trống trong lớp màng vật liệu chấm lượng tử và làm tăng độ rộng lớp chuyển tiếp p-n. Các kỹ thuật quay phủ cũng như phương pháp hóa sẽ được sử dụng để chế tạo pin mặt trời. Độ rộng phổ hấp thụ quang học của pin mặt trời sẽ được điều chỉnh thông qua kích thước và cấu trúc của vật liệu chấm lượng tử. Ngoài ra, các lớp chấm lượng tử trong cấu trúc của pin cũng sẽ được thay đổi với sự biến thiên của kích thước hạt nhằm làm tăng khả năng hấp thụ ánh sáng mặt trời và làm giảm quá trình sinh nhiệt bởi những photon có năng lượng lớn hơn năng lượng vùng cấm của chấm lượng tử. Mục tiêu chính của đề tài là chế tạo và khảo sát các đặc tính của pin mặt trời ứng dụng vật liệu chấm lượng tử để tìm ra các điều kiện tối ưu giúp cho việc tăng hiệu suất chuyển đổi năng lượng của pin.