• Nhiệm vụ đang tiến hành

Nghiên cứu cấu trúc lai hóa LaTaO/PZT cho lớp điện môi làm cổng trong transistor dạng màng mỏng chế tạo bằng phương pháp dung dịch

Đại học Công nghệ

Bộ

- Nghiên cứu cấu trúc tinh thể, hình thái bề mặt và tính chất cách điện của lớp LaTaO._x000d_ - Nghiên cứu vai trò của lớp LaTaO được chế tạo bằng phương pháp dung dịch trong vai trò lớp ngăn chặn khuyếch tán giữa kênh dẫn và cổng điện môi._x000d_ - Chế tạo lớp màng lai hóa (LaTaO/PZT) bằng phương pháp dung dịch và vẫn có độ điện dư cao cũng như dòng rò nhỏ._x000d_ - Nghiên cứu ôxit bán dẫn (ITO, IZO hoặc IGZO) được chế tạo bằng phương pháp dung dịch để thu được màng có độ linh động và ngồng độ hạt tải phù hợp cho ứng dụng trong transistor dạng màng mỏng._x000d_ - Đánh giá và khảo sát hoạt động của bộ nhớ transistor dạng màng mỏng sử dụng cấu trúc lai hóa (LaTaO/PZT).