BỘ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ
HỆ THỐNG THÔNG TIN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ

Các nhiệm vụ khác
liên kết website
Lượt truy cập
 Lượt truy cập :  17,743,684
  • Kết quả thực hiện nhiệm vụ

103.02-2012.41

2017-52-058

Nghiên cứu hiệu ứng nhân hạt tải điện trong Ge và SiGe nanô tinh thể trên nền vật liệu vùng cấm rộng

Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội

Bộ Giáo dục và Đào tạo

Quốc gia

TS. Ngô Ngọc Hà(1)

TS. Vũ Văn Thú, ThS. Bùi Quang Thanh, KS. Hồ Văn Chương, CN. Phạm Sơn Tùng

Vật lý hạt nhân

03/2013

02/2016

2017

Hà Nội

30 tr.

Chế tạo thành công vật liệu nanô Ge và SiGe chất lượng cao nhúng trong các vật liệu nền có vùng cấm rộng hơn bằng phương pháp phún xạ catốt tần số radio, phương pháp ăn mòn hóa học và các phương pháp chế tạo thay thế khác. Nghiên cứu sự hình thành và ảnh hưởng của điều kiện biên lên cấu trúc, tính chất quang điện tử của vật liệu trên cơ sở các phép đo khảo sát vật lý khác nhau như ảnh hiển vi điện SEM/TEM, phổ raman, phổ kế nhiễu xạ tia X. Xác định hiệu ứng CM trong hạt nanô Ge và nanô SiGe sẽ bằng các phương pháp quang phổ phi tuyến khác nhau. Tiến hành các phép đo về hiệu suất lượng tử trong và ngoài, năng lượng ngưỡng cho hiệu ứng CM. Đánh giá khả năng của hiệu ứng hạt tải điện cho việc ứng dụng và phát triển pin mặt trời hiệu suất cao

Vật liệu nanô, Pin mặt trời, Hạt tải điện

24 Lý Thường Kiệt, Hà Nội

13248